Zobacz dokumentacje DTR (pdf 672KB)
- Pierwiastkuje sygnał wejściowy
- Rozdziela galwanicznie sygnały wejściowe i wyjściowe, także od napięcia zasilania
- Dostarcza napięcie zasilające dla przetwornika dwuprzewodowego
- Błąd podstawowy 0,5%
Zależności
Dane techniczne
| Rezystancja wejściowa dla sygnałów napięciowych | > 100 kOhm/V | |
| Spadek napięcia na wejściu dla sygnałów prądowych | < 1,4 V | |
| Rezystancja obciążenia dla sygnałów prądowych | < 500 Ohm | |
| Nominalna rezystancja obciążenia dla sygnałów prądowych | 250 Ohm | |
| Rezystancja obciążenia dla sygnałów napięciowych | > 2 kOhm | |
| Napięcie zasilania | 24 V DC ±10 % | |
| Pobór prądu z zasilacza 24 V ( + zasilanie przetwornika ) | < 70 mA ( 90 mA ) | |
| Wytrzymałość elektryczna izolacji | > 1500 V | |
| Wymiary gabarytowe (szer. x wys. x głęb.) | obudowa przekaźnikowa | 38 x 75 x 135 mm |
| obudowa MIKRO | 25 x 79 x 90,5 mm | |
Podłączenie
Obudowa przekaźnikowa
Obudowa MIKRO
Sposób zamawiania
ESPR - x y - b t o Znaczenie symboli:
| Sygnał wejściowy DC | Błąd podstawowy | ||||||
| x | 0 | 4 ÷ 20 mA | b | 0 | 0,5 % | ||
| 1 | 0 ÷ 20 mA | ||||||
| 2 | 4 ÷ 20 mA z zas. do przetw. | Temperatura pracy | |||||
| 3 | 0 ÷ 20 mA z zas. do przetw. | t | 0 | 0 ÷ 50 °C | |||
| 9 | inny (wg uzgodnień) | 9 | inna (wg uzgodnień) | ||||
| Sygnał wyjściowy DC | Typ obudowy | ||||||
| y | 0 | 4 ÷ 20 mA | o | 0 | przekaźnikowa | ||
| 1 | 0 ÷ 20 mA | 1 | MIKRO | ||||
| 9 | inny (wg uzgodnień) | ||||||
