Zobacz dokumentacje DTR (pdf 672KB)
- Pierwiastkuje sygnał wejściowy
- Rozdziela galwanicznie sygnały wejściowe i wyjściowe, także od napięcia zasilania
- Dostarcza napięcie zasilające dla przetwornika dwuprzewodowego
- Błąd podstawowy 0,5%
Zależności
Dane techniczne
Rezystancja wejściowa dla sygnałów napięciowych | > 100 kOhm/V | |
Spadek napięcia na wejściu dla sygnałów prądowych | < 1,4 V | |
Rezystancja obciążenia dla sygnałów prądowych | < 500 Ohm | |
Nominalna rezystancja obciążenia dla sygnałów prądowych | 250 Ohm | |
Rezystancja obciążenia dla sygnałów napięciowych | > 2 kOhm | |
Napięcie zasilania | 24 V DC ±10 % | |
Pobór prądu z zasilacza 24 V ( + zasilanie przetwornika ) | < 70 mA ( 90 mA ) | |
Wytrzymałość elektryczna izolacji | > 1500 V | |
Wymiary gabarytowe (szer. x wys. x głęb.) | obudowa przekaźnikowa | 38 x 75 x 135 mm |
obudowa MIKRO | 25 x 79 x 90,5 mm |
Podłączenie
Obudowa przekaźnikowa

Obudowa MIKRO

Sposób zamawiania
ESPR - x y - b t o Znaczenie symboli:
Sygnał wejściowy DC | Błąd podstawowy | ||||||
x | 0 | 4 ÷ 20 mA | b | 0 | 0,5 % | ||
1 | 0 ÷ 20 mA | ||||||
2 | 4 ÷ 20 mA z zas. do przetw. | Temperatura pracy | |||||
3 | 0 ÷ 20 mA z zas. do przetw. | t | 0 | 0 ÷ 50 °C | |||
9 | inny (wg uzgodnień) | 9 | inna (wg uzgodnień) | ||||
Sygnał wyjściowy DC | Typ obudowy | ||||||
y | 0 | 4 ÷ 20 mA | o | 0 | przekaźnikowa | ||
1 | 0 ÷ 20 mA | 1 | MIKRO | ||||
9 | inny (wg uzgodnień) |